中國(guó)工程院院士丁榮軍：第三代半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)十年復(fù)合增速將超20% 當(dāng)前熱訊

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上證報(bào)記者俞立嚴(yán)攝

上證報(bào)中國(guó)證券網(wǎng)訊（記者俞立嚴(yán)）6月29日，中國(guó)在浙江瑞安召開(kāi)的工程2023國(guó)際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)上，中國(guó)工程院院士丁榮軍表示，院院以碳化硅為代表的士丁術(shù)未速第三代半導(dǎo)體技術(shù)（包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù)）已經(jīng)開(kāi)始獲得應(yīng)用，并具有很大的榮軍性能及市場(chǎng)潛力，將在未來(lái)十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的第代快速增長(zhǎng)。

丁榮軍指出，半導(dǎo)在電動(dòng)汽車的體技應(yīng)用驅(qū)動(dòng)、性價(jià)比權(quán)衡、年復(fù)消費(fèi)慣性等因素影響下，合增未來(lái)十年Si-IGBT仍將是超當(dāng)功率半導(dǎo)體器件的主流，并將與碳化硅功率器件長(zhǎng)期并存。前熱

丁榮軍預(yù)測(cè)，中國(guó)隨著硅基材料逐漸逼近其物理極限，工程功率半導(dǎo)體將朝著更高的院院禁帶寬度、熱導(dǎo)率和材料穩(wěn)定性等方向發(fā)展，功率器件技術(shù)演進(jìn)將助力新能源汽車向高性能、充電快、長(zhǎng)續(xù)航等方向發(fā)展。

（文章來(lái)源：上海證券報(bào)·中國(guó)證券網(wǎng)）

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